厂商直供高精度新型雪崩耐量测试仪

厂商直供高精度新型雪崩耐量测试仪

ENX2020  雪崩耐量测试系统概述向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。

西安易恩电气ENX2020  雪崩耐量测试系统，该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。规格/环境要求电压频率：50Hz±1Hz

环境温度：15～40℃

工作湿度：温度不高于+30℃时，相对湿度5%-80%。

温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%，无冷凝。

大气压力： 86Kpa～106Kpa

海拔高度：不超过3000米。

尺    寸：800x800x1800mm

质    量：210KG

工作电压：AC220V±10%无严重谐波

系统功耗：320W

通信接口：USB RS232技术指标配置测试范围测试参数条件范围电压

1000VIGBTs

绝缘栅双极型晶体管EAS/单脉冲雪崩能量VCE20V-4500V20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V电流

200AMOSFETs

MOS场效应管EAR/重复脉冲雪崩能量Ic1mA-200A1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA DIODEs

二极管IAS/单脉冲雪崩电流Ea1J-2000J1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J  PAS/单脉冲雪崩功率IC检测50mV/A（取决于传感器）   感性负载10mH、20mH、40mH、80mH、100mH   重复间隙时间1-60s可调（步进1s）重复次数：1-50次

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