光耦参数测试系统

HUSTEC华科智源

HUSTEC-1600A-MT

SiC器件测试仪/设备

一：SiC器件测试仪/设备主要特点

华科智源HUSTEC-1600A-MT静态测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；

SiC器件测试仪/设备测试参数：

ICES  集电极-发射极漏电流

IGESF 正向栅极漏电流

IGESR 反向栅极漏电流

BVCES 集电极-发射极击穿电压

VGETH 栅极-发射极阈值电压

VCESAT 集电极-发射极饱和电压

ICON 通态电极电流

VGEON 通态栅极电压

VF 二极管正向导通压降

整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。

二：华科智源SiC器件测试仪/设备应用范围

A：IGBT单管及模块，

B：大功率场效应管（Mosfet）

C：大功率二极管

D：标准低阻值电阻

E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测

三、华科智源SiC器件测试仪/设备特征：

A：测量多种IGBT、MOS管

B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；

C：脉冲宽度 50uS~300uS

D：Vce测量精度2mV

E：Vce测量范围>10V    

F：电脑图形显示界面

G：智能保护被测量器件

H：上位机携带数据库功能

I：MOS IGBT内部二极管压降

J : 一次测试IGBT全部静态参数

K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

序号测试项目描述测量范围分辨率精度1VF二极管正向导通压降0~20V1mV±1%,±1mV2IF二极管正向导通电流0~1200A≤200A时,0.1A≤200A时,±1%±0.1A3＞200A时,1A＞200A时,±1%4Vces集电极-发射极电压0~5000V1V±1%,±1V5Ic通态集电极电流0~1200A≤200A时,0.1A≤200A时,±1%±0.1A6＞200A时,1A＞200A时,±1%7Ices集电极-发射极漏电流0~50mA1nA±1%,±10μA8Vgeth栅极-发射极阈值电压0~20V1mV±1%,±1mV9Vcesat集电极-发射极饱和电压0~20V1mV±1%,±1mV10Igesf正向栅极漏电流0~10uA1nA±2%,±1nA11Igesr反向栅极漏电流12Vges栅极发射极电压0~40V1mV±1%,±1mV

测试参数：

ICES  集电极-发射极漏电流

IGESF 正向栅极漏电流

IGESR 反向栅极漏电流

BVCES 集电极-发射极击穿电压

VGETH 栅极-发射极阈值电压

VCESAT 集电极-发射极饱和电压

ICON 通态电极电流

VGEON 通态栅极电压

VF 二极管正向导通压降

IGBT静态参数测试仪整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用

1) 物理规格

设备尺寸：500（宽）x 450（深）x 250（高）mm；

质量：30kg

2) 环境要求

海拔高度：海拔不超过 1000m；

储存环境：-20℃～50℃；

工作环境：15℃～40℃。

相对湿度：20%RH ~ 85%RH ；

大气压力：86Kpa～ 106Kpa。

防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；

3) 水电气 用电要求：AC220V，±10%；

电网频率：50Hz±1Hz

企业名片