功率器件测试实验室(简称长禾实验室)

西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。

诚信立世，感恩回馈，欢迎选择长禾实验室做您忠诚的合作伙伴，共谋发展大计！

 1

 功率金属氧化物场效应管

 1

 漏源间反向击穿电压

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1

 只测： -3.5kV～3.5kV

 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407

 只测： -3.5kV～3.5kV

 2

 通态电阻

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1

 只测： 0～10kΩ,,0～1500A

 3

 阈值电压

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404

 只测： -10V～10V

 4

 漏极反向电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1

 只测： -100mA～100mA

 5

 栅极漏电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1

 只测： -100mA～101mA

 6

 体二极管压降

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4

 只测： 0A～1500A

 7

 跨导

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2

 只测： 1ms～1000s

 8

 开关时间

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2

 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A

 9

 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472

 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A

 10

 体二极管反向恢复时间

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1

 只测： 10ns～2μs

 11

 体二极管反向恢复电荷

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1

 只测： 1nC～100μC

 12

 栅极电荷

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3

 只测： Qg：0.5nC～500nC

 13

 单脉冲雪崩能量

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2

 只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A

 14

 栅极串联等效电阻

 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002)

 只测： 0.1Ω～50Ω

 15

 稳态热阻

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1

 只测： Ph：0.1W～250W

 16

 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161

 只测： Ph：0.1W～250W

 17

 输入电容

 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10

 只测： -3kV～3kV,0～1MHz

 18

 输出电容

 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11

 只测： -3kV～3kV,0～1MHz

 19

 反向传输电容

 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12

 只测： -3kV～3kV,0～1MHz

 20

 老炼试验

 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042

 只测： 条件A、条件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃

 21

 温度，反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017

 只测： HTRB和HTGB试验

 22

 间歇功率试验

 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042

 只测： 条件D（间歇功率）

 23

 稳态功率试验

 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042

 只测： 条件C（稳态功率）

 2

 二极管

 1

 反向漏电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4016.4

 只测： 0～100mA

 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4016

 只测： 0～100mA

 2

 反向击穿电压

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4021.2

 只测： 0～3.5kV

 3

 正向压降

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4

 只测： IS：0A～6000A

 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4011

 只测： IS：0A～6000A

 4

 浪涌电流

 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4066

 只测： If：0A～9000A

 5

 反向恢复电荷

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1

 只测： 1nC～100μC

 反向恢复时间

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1

 只测： 10ns～2us

 6

 二极管反压变化率

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3476

 只测： VR：5V～3300V， IF：1A～1500A

 7

 单脉冲雪崩能量

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4064

 只测： L：0.01mH～159.9mH， IAS：0.1A～1500A

 稳态热阻

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3136

 只测： Ph：0.1W～80W

 8

 总电容电荷

 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8

 只测： -3kV～3kV,0～1MHz

 9

 结电容

 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8

 只测： -3kV～3kV,0～1MHz

 3

 晶闸管

 1

 门极触发电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1

 只测： 100nA～500mA

 2

 门极触发电压

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1

 只测： 5mV～5V

 3

 维持电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2

 只测： 10μA～1.5A

 4

 擎住电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2

 只测： 10μA～1.5A

 5

 浪涌电流

 半导体测试方法测试标准 JB/T 7626-2013

 只测： ITSM：0A～9000A

 6

 正向漏电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4206.1

 只测： 1nA～100mA

 7

 反向漏电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4211.1

 只测： 1nA～100mA

 8

 正向导通压降

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4226.1

 只测： IT：0～6000A

 9

 稳态热阻

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3181

 只测： Ph：0.1W～250W

 4

 晶体管

 1

 直流增益

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3076.1

 只测： 1～50000

 2

 集射极饱和压降

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3071

 只测： 0～1250A

 3

 集射电极关态电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3041.1

 只测： 0～100mA

 4

 集基电极关态电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3036.1

 只测： 0～100mA

 5

 射基极关态电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3061.1

 只测： 0～100mA

 6

 集射极反向击穿电压

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3011.2

 只测： -3.5kV～3.5kV

 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011

 只测： -3.5kV～3.5kV

 7

 集基极反向击穿电压

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3001.1

 只测： -3.5kV～3.5kV

 8

 射基极反向击穿电压

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3026.1

 只测： -3.5kV～3.5kV

 9

 基射极电压

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3066.1

 只测： 0V～1250A

 10

 稳态热阻

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3131.6

 只测： Ph：0.1W～250W

 5

 绝缘栅双极型晶体管

 1

 集射间反向击穿电压

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1

 只测： -3.5kV～3.5kV

 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407

 只测： -3.5kV～3.5kV

 2

 通态电压

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3405.1

 只测： 0～1500A

 3

 通态电阻

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1

 只测： 0～10kΩ

 4

 集电极反向漏电流

 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1

 只测： 0～100mA

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