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所在地:广东 深圳市
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更新时间:2016-07-25 13:55:26
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详情介绍
●用途: 可适用于PVD、CVD技术以金属、半导体靶材制备高密度、高硬度、高亮度、高透明度的单质、化合物膜层。 ●特点: 1. 采用先进的逆变技术和IGBT功率开关器件设计; 2. 采用PWM控制技术、恒流特性好、电流控制精确; 3. 自动恒流输出,不随气压变化,提高沉积速率,工艺重复性好; 4. 克服靶中毒,抑制靶材弧光放电及抗短路功能,内置电子电抗,具有极佳的负载匹配能力; 5. LED数码电流、电压显示、清晰直观; 6. 轻巧、高效、节能。同等功率比可控硅电源节约电能40%以上; 7. 模块化设计、全系列产品风冷长期稳定性好,可N+1备份、保障安全生产; ●主要技术项目: ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??? 型号Type ??? 项目Item ZR—10kw ZR—20kw ZR—30kw ZR—40kw? 输入电源电压频率(V、Hz)三相四线 AC380+N AC380+N AC380+N AC380+N +15%,50/60 +15%,50/60 +15%,50/60 +15%,50/60 输出电流调节范围(A) 0~15 0~30 0~45 0~60 稳流精度 ≤1% ≤1% ≤1% ≤1% 额定输出电压(DCV) 670 670 670 670 负载持续率(%) 85 85 85 85 重量(KG) 25 35 40 70 外形尺寸(mm) 575(D)×480(W)×250(H) 绝缘等级 B B B B 效率(%) 90 90 90 90 功率因数COSΦ 0.93 0.93 0.93 0.93 外壳防护等级 Ip21 Ip21 Ip21 Ip21 工作模式 恒压、恒流、恒功率可任意选择,常规恒流输出 外部接口 本系列产品,均可设微机式PLC控制