光伏组件 太阳能电池板英文 马来西亚太阳能电池板

太阳能电池板厂家/太阳能光伏组件生产厂家价格销售太阳能电池板，单晶硅太阳能电池板，太阳能多晶硅电池板，太阳能光伏组件等系列产品，太阳能电池组件/电池板被客户认可且选择的理由，就是其长期的高稳定性以及较低的功率衰减。它的主要特点包括：

　　通过电池的优化排列保证热量的充分扩散，减少热斑产生。

　　采用高品质的原材料，提高组件的寿命及性能；

　　通过IEC 5400Pa 机械载荷测试，能抵挡*恶劣、高载荷的工作   环境；

　　优质的接线盒提高高温绝缘性能，并保障稳定的输出功率；

　　卓越的弱光性能；

　　组件玻璃具有自清洁能力，降低灰尘及其他影响组件发电效率的机率；

　　18道核心质量监测点、30个重要质量监测点、100%的电流和电压测试确保其符合功率要求0~＋3％的功率误差；

　　对所有组件进行功率和电流分档，以提高系统整体性能和组件的寿命；

　　通过多项国际认证和测试IEC, Tuv, CE, ISO。

2 太 阳 能 电 池 材 料

对 于 太 阳能 电池 材 料 的选 取 ，禁 带 宽度 E 是 一 个

关 键参 数 ．E 与 图 1所 示太 阳光 谱 中 的 主要部 分 的能

量 匹 配 ，则有 利 于对 太 阳光 的 吸收 ．E 增 大 时 ，可 吸收

的太 阳光 通量 减 小 ，但 每 个 光 生 电子 一空 穴 对 获 得 的

能量 (=E )却 有 所 增 大 ．综 合 考 虑 这 两 方 面 的影 响 ，

* 佳 E 值 约 为 1．1 eV．c—Si(晶 态 硅 )的 E =1．1

eV，刚好 满 足这 个要 求 ．但 c—Si为 间 接 带 隙 材 料 ，吸

收系数 小 ，要 完 全 吸 收 入 射 光 需 要 将 器 件 的 厚 度 做 得

相 当厚 (如大 约 100 btm)．再计 入 影 响光 电池转 换效 率

的其 他 因素 ，应 选 用 具 有 直 接 带 隙 的材 料 ，E 的优 化

值 大约 为 1．5 eV．a—si(非 晶硅 )的有 效 E =1．5 eV，

且 为直 接带 隙 ，极 限效 率 大 约 为 30％ ，造 价 又 低 ，故 成

为大 规模 利 用太 阳 能 的 一种 很 有 优 势 的候 选 材 料 ．此

外 ，GaAs、InP和 CdTe的 E 也 很 接 近 此优 化值 ，但 前

两者 对 于大 规 模地 面 应 用 价 格 太 高 ，而 CdTe有 毒 ，除

用 于 一 些 特 殊 环 境 (如 太 空 )中 的 太 阳 能 电 池 外 ．难 以

广 泛 使用 ．

2．1 C— Si

由于 c—Si具 有 工艺 成 熟等 优 势 ，因而 是 目前 的 民

用太 阳能 电池 的 主要 使 用 材 料 ，80％ 以 上 的 太 阳能 电

池都 由 c—Si制 成 ，几乎 所 有 的 峰值 功 率 大 于 1 kw 的

都 是 c—Si电池 ，所用 原 料 还 都 是 硅 片 ．商 用 组 件 的效

率在 12％ ～16％ ，有 很好 的稳 定性 和 可靠 性 ，户外 连 续

操作 几 十年性 能 也不 会退 化 ．它 的主要 缺点 是 价格 高 ，

原 因是 ：1)目前 的制造 设 备 产 量 低 ．如 产量 能增 大一

个量 级 ，价 格 可降 低一 半 ；2)加 工 步骤 复 杂 ；3)需 要 大

量 高 纯 si原 料 ．而 原 料 问题 限 制 了太 阳 能 电 池 的 降

价 ．目前 ，工业 上 主要 使 用 微 电 子 工 业 的 废 料 ，要 解决

这 个 “瓶 颈 ”问题 ，有 待 建 立 直 接供 应 “太 阳能 级 si”的

生 产 厂 ．

实验 室 中 已制 成 效 率 为 25％ 的 电 池 ．由小 尺 寸 、

昂贵 的实验 室 电池 到大 面 积 、廉价 的商 业 组 件 ，还 需 计

入 各种 附加 的损 耗 ．兼 顾 性 能和价 格 ，目前 通常 认 为*

佳 效 率大 约 为 15％ ．*近 的发 展 表明 ：薄 膜 c—Si(特 别

是 微 晶 si)正在成 为将 来 PV 材 料 的另 一 种 候 选 材 料 ．

日本 已研制 成 功 一 种 “棒 状 ”太 阳能 电池 ，并 将 在 近 期

开始 批量 生产 ．这 种 电池 是 由直 径 仅 1．5 mn'l的 球 状

单 晶硅在 无 重 力 状 态 下 制 成 的．这 些 小 球 按 照 纵 16

个 、横 30个 直线 排 列 ，用 导 电 性 的粘 接 剂 硬 化 后 用 透

明玻 璃 覆 盖 ，其光 电转 换 效 率 为 16％ ．与现 有 的平 面

型 太 阳能 电池 相 比 ，其优 点 是 受 光 面积 大 ，对 太 阳 能 的

利 用率 高 ，在 制作 过 程 中硅材 料 用量 和废 料都 少 ．

2．2 a— Si

a—Si PV 技术 的优 点 是 ：低 淀 积 温 度 (典 型 温 度 为

200～300℃ )允许 使 用低 成 本 的衬底 ；容易 将 组 件集 成

安装 于 建筑 物 的正 面 、楼 板 或 其他 结 构 上 ；在 太 阳 能 电

池本 身实 现 单 片 集 成 串联 ；较 低 的 生 产 能 耗 和加 工 组

件 中所需 材 料 的质 量 ；原 材 料 丰 富 以 及 具 有 实 现 符 合

良好 生 态平衡 要 求 的大 尺 寸 加 工 操 作 的 优 势 ．另 外 ，a

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第 9期 李海 雁 等 ：太 阳能 电池 39

一 si的 E 大 约 为 1．75 eV，在 可见 光 区 比 C—Si有较 高

的 吸收 系数 ，光电 池 中的半 导 体层 厚度 可《 1 ptm．在小

规模 的能源 供 应方 面 ，a—Si占据 着 支配 地 位 ．a—si太

阳能 电池 和器 件 商 品 化 的 主 要 障 碍 是 效 率 低 (实 际 商

用组 件 的稳定 效 率 在 4％ ～8％之 间 )．限 制 稳 定 效 率

的主要原 因是 由 于某 些 缺 陷 的 产 生 ，成 为 附 加 的复 合

中心 ，光 生 载 流 子 通 过 这 些 缺 陷 复 合 ，降 低 了 有 效 的

PV 效 应 ．

20世 纪 70年 代 中期在 半 导体 器件 中引入 的氢 化 a

— Si(a—Si：H)，使 薄 膜 太 阳 电 池 材 料达 到 了 大规 模 生

产 (现 在 每 年 大 约 为 20 MW )．a—Si：H 太 阳 能 电 池 是

由一 薄 P型掺 杂层 、一 中 间 i层 (这 是 光 伏 效 应 的 活 性

层 )和 一薄 n型层组 成 (p—i—n)结构 ．a—si的开 发 利

用 历史 较 短 ，有关 工 艺还 不 成 熟 ．目前 a—Si层 淀 积一

般 用等 离 子 体 辅 助 化 学 气 相 淀 积 (PECvD)，一 般 可 淀

积 1 m 或 更大 的 面积 ．将 a—Si：H 太 阳电 池 淀积 在 覆

盖有 透 明导 电氧 化物 (TCO)的玻 璃 上 ．TCO层 是 SnO2

或 ZnO，用 作 前 接 触 ．目前 ，由 于 淀 积 速 率 很 低 (0．1

nm／s)，造 成 了很长 的淀 积 时 间 (大 约 1 h)，限 制 了 a—

si的工 艺 过 程 ，使得 a—si太 阳 能 电池 的价 格 只 比 C—

si电池稍 低 ．用 甚 高频 等 离子 体 淀 积 (VHF)，淀 积 速 率

可提 高 5倍 ．生 产 高 质 量 的 TCO 是 另 一 个 瓶 颈 ，使 用

ZnO代 替 SnO2和 使 整 个 TCO 加 工 过 程 合 理 化 ，TCO

价 格 可 以 降 低 ．用 等 离 子 体 提 高 化 学 气 相 淀 积

(PECvD)制造 的 C—Si太 阳 能 电 池 很 容 易 和 a—si电

池组 合 ，二 者 的带 隙值 与 理 论 上 的 理想 组 合 值 很 接 近 ．

已报 道 这种 电 池效 率大 约 为 12％ ．

从 第 一 块 平 面 结 、C—si太 阳 能 电 池 发 展 到 今 天 ，太

阳能 电池 所 用 材 料 涉 及 到 几 乎 所 有 的半 导 体 材 料 ，包

括硅 、无机 化 合物 半 导体 、有 机半 导 体甚 至 一 些 金 属 材

料 ．结 构上 也 丰 富 多 样 ，有 同 质 结 、异 质 结 ．平 面 结 、垂

直 结 、叠 层 、集 成 、薄 膜 等 ．* 近 有 报 道 ：使 用 自组 织

液 晶 和晶 态共 轭 有 机 材 料 制 成 的 薄 膜 ，光 伏 响 应 的 外

量 子效率 达 到 了 34％ ．现 在 ，C—si太 阳能 电 池 在 市 场

上 的 占有率 大 约 为 86％ ，a—Si太 阳能 电池 的 占有率 为

13％ Is]．

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