在我们的周围环境甚至我们的身上都会带有不同程度的静电,当静电积累到一定程度时就会发生静电释放。ESD 过程是处于不同电势的物体之间的静电电荷转移过程,其强烈程度受电量大小及物体间距的影响。自然界的雷电现象是强对流气候下典型的ESD现象,瞬间所释放的巨大能量,能将雷电流所经过的空气电离,使空气变成阻值很低的导电通道,形成超强的电流和极高的温度,破坏力极大。
日常生活中的ESD现象在频繁地发生着,虽然没有雷电那么强烈,也会有火花式放电,不仅伴有“噼叭”声响,还会闪闪发光。研究表明,当电压大于8000 V时可以看到ESD发出的光亮,当电压大于6000 V时可以听到ESD的放电声;当电压大于3000V时可以感觉到有ESD发生;而当静电电压低于3000V时,也会发生ESD过程,只是我们没有感觉到而已。也就是说,很多ESD过程是在悄无声息地进行的。
ESD是电脑的无形杀手。笔者的维修生涯中经历过许多电脑故障,根本查不出是什么原因,当时感到莫名其妙,现在想来应该与ESD有关。当静电电压较低时,ESD产生的电气噪声会对逻辑电路形成干扰,引发IC芯片内逻辑电路死锁(Latch Up ),导致数据传输或运算出错,也可能对芯片形成轻微的物理损伤而提前老化或潜在失效;当静电电压超过250V时,ESD就能击穿电脑芯片了。
ESD作用于电脑芯片时,由于放电回路的电阻通常都很小,所以电荷释放的瞬间放电电流会很大。例如将带静电的电缆插到电脑的接口上时,放电回路的电阻几乎为零,形成高达几十安培的放电电流,如此大的尖峰电流一旦从芯片的某个引脚流入,足以将芯片的局部熔化,烧断芯片内的晶体管和金属连线,使芯片产生永久性的功能丧失,或者破坏芯片内的钝化层,使芯片性能降低。芯片损坏后,我们从外观上丝毫看不出有什么变化,但利用FESEM 仪器还是可以看清电路熔断的情形。
如今电脑里的CPU芯片、存储器芯片和主板上的南桥、北桥等超大规模集 成电路芯片广泛采用CMOS(复合金属氧化物半导体)材料,CMOS器件具有集成度高、成本低、速度快、能耗低的优点,因此使用范围很广。然而,CMOS器件的一个致命的弱点是输入阻抗很大,很容易被ESD击穿。随着芯片工艺的进步,工作速度加快了,但芯片也变得脆弱了。集成度的提高使得器件尺寸越来越小,器件之间的连线宽度越来越窄,钝化层越来越薄,这些因素都会时芯片对静电放电的敏感性也越大。一个不太高的电压就能将晶体管击穿,一个微小的ESD电流就能将连线熔断。
ESD已成为当今电脑的头号杀手。Intel的研究表明,在引起电脑故障的诸多因素中,ESD是*大的隐患,将近一半的电脑故障都是由EOS/ESD引起的(如图3)。EOS表示过电应力(Electrical Over Stress)。
ESD对电脑的破坏作用具有隐蔽性、潜在性、随机性和复杂性的特点,当我们在接触电脑板卡和芯片时,不管是电脑上有静电,还是我们身体上有静电,ESD都有可能发生在接触的瞬间,可谓防不胜防。